Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc

✨ Características

• • Transistor RF tipo N de alta potencia
• • Frecuencia máxima 520 MHz con 8 W
• • Operación estable a 7.5 Vcc
• • Ganancia de potencia de 11 dB
• • Eficiencia del 55% en RF
• • Diseño SMD para montaje superficial